中芯国际量产14nm制程芯片

个晶体管结构中，每个晶体管中电流从 Source（源极）流入 Drain（漏级），而其中的Gate（栅极）相当于闸门，主要负责控制两端源极和漏级的通断。而栅极宽度决定了电流通过时的损耗，栅极越窄、功耗越低，性能越高。

芯片制程工艺的具体数值，是评价移动设备性能的关键指标。每一款旗舰手机的发布，通常都与芯片性能的突破息息相关。

以高通在2018年年底发布的骁龙855芯片为例，它采用的是7nm制程工艺，集成超过60亿个晶体管，比高通在2017年第一季度推出的骁龙835（10nm制程工艺）上的30亿个晶体管数量多了1倍，性能大涨了55％，而芯片体积几乎未变，比直径约1．9厘米的一美分硬币还小。

高通骁龙820、835、855与一美分硬币对比目前，许多厂商的主流旗舰机型如三星S10、OPPO Reno和小米9等等都应用了该款芯片。

对于芯片厂商而言，缩减制程数值是它们不遗余力去实现的目标。但是，当栅极宽度逼近20nm时，就会遇到新的技术瓶颈，导致研发难度和成本急剧上升：由于栅极过窄，对电流控制能力急剧下降，二氧化硅绝缘层会变得更薄，容易导致电流泄漏。因此，就需要光刻设备、绝缘材料、芯片栅极改制、FinFET 3D等新技术新工艺以突破技术壁垒。

从制程工艺的发展情况来看，从28nm到14nm是一道分水岭，随着摩尔定律逐步失效，制作更先进制程的芯片需要更长周期，业界至此也开始两极分化为具备先进制程或是传统制程的不同技术能力。

全球六大IC晶圆厂制程演进表在全球半导体业中，能实现14nm工艺节点的企业不到10家，包括英特尔、三星、台积电、格罗方得、联电、东芝、海力士、美光等。

中芯国际14nm芯片实现量产，获得的是成为全球晶圆先进制程工艺代工厂的入场券。至此，“中国芯”距离当前已经量产的最先进制程7nm

（编辑：阳江站长网）

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